Gamintojo produkto numeris:
IXFP18N65X2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFP18N65X2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
300 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13271055
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFP18N65X2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Ultra X2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 1.5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1520 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
290W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IXFP18
Duomenų lapas ir dokumentai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
238-IXFP18N65X2
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTU4N70X2
MOSFET N-CH 700V 4A TO251
IXTT11P50-TRL
MOSFET P-CH 500V 11A TO268
MMIX1T660N04T4
MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
