Gamintojo produkto numeris:
IXFP4N85XM
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFP4N85XM-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
12819540
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFP4N85XM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
850 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
247 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
35W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
IXFP4N85
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TK7A90E,S4X
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
95
DiGi DALIES NUMERIS
TK7A90E,S4X-DG
VISO KAINA
0.63
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFN70N100X
MOSFET N-CH 1000V 56A SOT227B
IXTH10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
IXFX360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
