Gamintojo produkto numeris:
IXFP5N100PM
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFP5N100PM-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 2.3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventorius:
207 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12820939
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFP5N100PM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1830 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
42W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220 Isolated Tab
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Pagrindinio produkto numeris
IXFP5N100
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTP180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO220AB
IXTY1R6N50D2
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
IXTP230N075T2
MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
