IXFQ50N60X

Gamintojo produkto numeris:

IXFQ50N60X

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXFQ50N60X-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 600V 50A TO3P

Išsami aprašymas:

N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12820568

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

IXFQ50N60X Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Littelfuse

Pakuotė

Tube

Serijos

HiPerFET™, Ultra X

Produkto būsena

Last Time Buy

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

600 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

50A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

73mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4.5V @ 4mA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

116 nC @ 10 V

VGS (Max)

±30V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

4660 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

660W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-3P

Pakuotė / dėklas

TO-3P-3, SC-65-3

Pagrindinio produkto numeris

IXFQ50

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

30

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

littelfuse

IXFX24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

littelfuse

IXFK120N30T

MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA

littelfuse

IXTT74N20P

MOSFET N-CH 200V 74A TO268

littelfuse

IXFR40N90P

MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247