IXFT10N100
Gamintojo produkto numeris:

IXFT10N100

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXFT10N100-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventorius:

12823281
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IXFT10N100 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
HiPerFET™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268AA
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFT10

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
30

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
infineon-technologies

IRF7416GTRPBF

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

infineon-technologies

IRFR5305TRRPBF

MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

infineon-technologies

IRF7480MTRPBF

MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET

infineon-technologies

IPW60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3