Gamintojo produkto numeris:
IXFT13N100
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFT13N100-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 12.5A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventorius:
12821864
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFT13N100 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
HiPerFET™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268AA
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFT13
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IXFT13N100-NDR
Q2093962
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFT18N100Q3
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXFT18N100Q3-DG
VISO KAINA
14.17
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFN40N90P
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227B
IXTH12N100L
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
IXFK160N30T
MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA