Gamintojo produkto numeris:
IXFT23N80Q
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFT23N80Q-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 23A TO268
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 23A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventorius:
12819841
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFT23N80Q Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
HiPerFET™, Q Class
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
23A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 3mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4900 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
500W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268AA
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFT23
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFN170N10
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
IXFX21N100Q
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
IXFC60N20
MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
