Gamintojo produkto numeris:
IXFT60N50P3
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFT60N50P3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventorius:
6 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821170
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFT60N50P3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Polar3™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6250 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1040W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268AA
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFT60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXFT60N50P3
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTP12N50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
IXFT12N100
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
IXTT26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
