Gamintojo produkto numeris:
IXFT60N65X2HV
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFT60N65X2HV-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventorius:
3 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821699
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFT60N65X2HV Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Ultra X2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
108 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6300 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
780W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268HV (IXFT)
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
IXFT60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXFT60N65X2HV
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTH250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO247
IXFX66N50Q2
MOSFET N-CH 500V 66A PLUS247-3
IXFH58N20
MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
