Gamintojo produkto numeris:
IXFX100N65X2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFX100N65X2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventorius:
12819367
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFX100N65X2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Ultra X2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1040W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PLUS247™-3
Pakuotė / dėklas
TO-247-3 Variant
Pagrindinio produkto numeris
IXFX100
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IXFX100N65X2X-DG
IXFX100N65X2XINACTIVE
IXFX100N65X2X
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
SCT3022ALGC11
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
1695
DiGi DALIES NUMERIS
SCT3022ALGC11-DG
VISO KAINA
36.29
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTA160N04T2
MOSFET N-CH 40V 160A TO263
IXFP14N85XM
MOSFET N-CHANNEL 850V 14A TO220
IXFR90N20Q
MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
