Gamintojo produkto numeris:
IXFX120N25
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFX120N25-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventorius:
12820087
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFX120N25 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
HiPerFET™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
400 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
560W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PLUS247™-3
Pakuotė / dėklas
TO-247-3 Variant
Pagrindinio produkto numeris
IXFX120
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRFP4768PBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2632
DiGi DALIES NUMERIS
IRFP4768PBF-DG
VISO KAINA
3.59
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
IXTQ30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P