Gamintojo produkto numeris:
IXFX32N100Q3
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXFX32N100Q3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventorius:
256 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12819012
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXFX32N100Q3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
HiPerFET™, Q3 Class
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
320mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
6.5V @ 8mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9940 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1250W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PLUS247™-3
Pakuotė / dėklas
TO-247-3 Variant
Pagrindinio produkto numeris
IXFX32
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXFX32N100Q3
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTA50N20P
MOSFET N-CH 200V 50A TO263
IXTA200N075T7
MOSFET N-CH 75V 200A TO263-7
IXTU44N10T
MOSFET N-CH 100V 44A TO251
