Gamintojo produkto numeris:
IXT-1-1N100S1
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXT-1-1N100S1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)
Inventorius:
12821076
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXT-1-1N100S1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id
-
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
-
Darbinė temperatūra
-
Montavimo tipas
-
Tiekėjo įrenginių paketas
-
Pakuotė / dėklas
-
Pagrindinio produkto numeris
IXT-1
Papildoma informacija
Standartinis paketas
94
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXKP13N60C5M
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220ABFP
IXFK52N100X
MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
IXFH75N10Q
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
