Gamintojo produkto numeris:
IXTA1N100
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTA1N100-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventorius:
12819906
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTA1N100 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 25µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
54W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263AA
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IXTA1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXTA1R4N100P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
20
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA1R4N100P-DG
VISO KAINA
1.38
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFL70N60Q2
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
IXTA15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO263
IXTP120N075T2
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
