Gamintojo produkto numeris:
IXTA1N120P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTA1N120P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 1A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventorius:
95 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821972
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTA1N120P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
17.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
550 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
63W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263AA
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IXTA1
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTT12N150
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
IXFT70N30Q3
MOSFET N-CH 300V 70A TO268
IXFH80N10
MOSFET N-CH 100V 80A TO247AD
