Gamintojo produkto numeris:
IXTA1N200P3HV-TRL
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTA1N200P3HV-TRL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Išsami aprašymas:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventorius:
13140410
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTA1N200P3HV-TRL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
2000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
646 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263HV
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IXTA1
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR
IXTA1N200P3HVTRL
238-IXTA1N200P3HV-TRLTR
238-IXTA1N200P3HVTRLTR-ND
238-IXTA1N200P3HVTRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLCT-ND
238-IXTA1N200P3HV-TRLCT
238-IXTA1N200P3HVTRLDKR-ND
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXTT1N250HV-TRL
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTT1N250HV-TRL-DG
VISO KAINA
31.96
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTA06N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
PMPB8XNX
MOSFET N-CH 20V 10.1A 6DFN
PSMNR60-25YLHX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
