IXTA1N200P3HV
Gamintojo produkto numeris:

IXTA1N200P3HV

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXTA1N200P3HV-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventorius:

1165 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12819748
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IXTA1N200P3HV Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Polar P3™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
2000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
646 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263AA
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IXTA1

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
littelfuse

IXTQ50N25T

MOSFET N-CH 250V 50A TO3P

littelfuse

IXTT500N04T2

MOSFET N-CH 40V 500A TO268

littelfuse

IXFH12N90P

MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD

littelfuse

IXTA130N065T2

MOSFET N-CH 65V 130A TO263