IXTA3N110
Gamintojo produkto numeris:

IXTA3N110

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXTA3N110-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 1100V 3A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventorius:

12909943
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IXTA3N110 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263AA
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IXTA3

Papildoma informacija

Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
IXTA2R4N120P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA2R4N120P-DG
VISO KAINA
3.25
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
vishay-siliconix

IRFZ44STRLPBF

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

littelfuse

IXTP24N65X2M

MOSFET N-CH 650V 24A TO220

onsemi

2N7002LT3

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

vishay-siliconix

2N7002K-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236