Gamintojo produkto numeris:
IXTA4N65X2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTA4N65X2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventorius:
35 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12907603
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTA4N65X2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Ultra X2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
455 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
80W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IXTA4
Duomenų lapas ir dokumentai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
R6007KNJTL
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
17
DiGi DALIES NUMERIS
R6007KNJTL-DG
VISO KAINA
0.74
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
R6007ENJTL
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2
DiGi DALIES NUMERIS
R6007ENJTL-DG
VISO KAINA
0.74
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF9620
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
IXFB120N50P2
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
