Gamintojo produkto numeris:
IXTA6N100D2-TRL
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTA6N100D2-TRL-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 6A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
13270855
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTA6N100D2-TRL Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
Depletion
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tj)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
0V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
95 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2650 pF @ 25 V
AKT funkcija
Depletion Mode
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IXTA6
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
238-IXTA6N100D2-TRLTR
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFA10N80P-TRL
MOSFET N-CH 800V 10A TO263
IXTT6N120-TRL
MOSFET N-CH 1200V 6A TO268
IXFT80N65X2HV-TRL
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
