Gamintojo produkto numeris:
IXTH2N150
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTH2N150-DG
Aprašymas:
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
Išsami aprašymas:
N-Channel 1500 V 2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventorius:
12966526
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTH2N150 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
830 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
170W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247 (IXTH)
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTH2
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
238-IXTH2N150
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMTH8001STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
SQM40016EM_GE3
MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
