IXTH2N150
Gamintojo produkto numeris:

IXTH2N150

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXTH2N150-DG

Aprašymas:

DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
Išsami aprašymas:
N-Channel 1500 V 2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventorius:

12966526
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IXTH2N150 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
9.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
830 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
170W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247 (IXTH)
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTH2

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
238-IXTH2N150
Standartinis paketas
30

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
diodes

DMTH8001STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

diodes

DMTH10H1M7STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

vishay-siliconix

SQM40016EM_GE3

MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7

panjit

PJA3401_R1_00001

SOT-23, MOSFET