Gamintojo produkto numeris:
IXTH75N10L2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTH75N10L2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventorius:
12821030
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTH75N10L2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Linear L2™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
215 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
8100 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
400W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247 (IXTH)
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTH75
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXTH75N10L2
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
HUF75652G3
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
450
DiGi DALIES NUMERIS
HUF75652G3-DG
VISO KAINA
5.03
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
APT10M19BVRG
GAMINTOJAS
Microchip Technology
PRIEINAMAS KIEKIS
42
DiGi DALIES NUMERIS
APT10M19BVRG-DG
VISO KAINA
9.29
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTP2N80
MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
IXFT80N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
IXTR102N65X2
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
