Gamintojo produkto numeris:
IXTH80N65X2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTH80N65X2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventorius:
12821637
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTH80N65X2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Ultra X2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 4mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
144 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
7753 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
890W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247 (IXTH)
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTH80
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPW65R045C7FKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
1670
DiGi DALIES NUMERIS
IPW65R045C7FKSA1-DG
VISO KAINA
6.73
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
SCT3030ALGC11
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
10017
DiGi DALIES NUMERIS
SCT3030ALGC11-DG
VISO KAINA
21.41
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTP100N15X4
MOSFET N-CH 150V 100A TO220
IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
IXFH50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO247