Gamintojo produkto numeris:
IXTN200N10T
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTN200N10T-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
12820910
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTN200N10T Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Trench
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
550W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXTN200
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFN200N10P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
37
DiGi DALIES NUMERIS
IXFN200N10P-DG
VISO KAINA
17.53
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
IXTK210P10T
MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
IXTA120P065T
MOSFET P-CH 65V 120A TO263
