IXTN21N100
Gamintojo produkto numeris:

IXTN21N100

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXTN21N100-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 21A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12818946
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IXTN21N100 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
MegaMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
21A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 500µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
8400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
520W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXTN21

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
IXTN21N100-DG
Duomenų lapai
IXTN21N100

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
IXTN21N100-NDR
Standartinis paketas
10

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
littelfuse

IXFH120N20P

MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD

littelfuse

IXTP180N10T

MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB

littelfuse

IXTP5N60P

MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB

littelfuse

IXTH90N15T

MOSFET N-CH 150V 90A TO247