Gamintojo produkto numeris:
IXTN60N50L2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTN60N50L2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 53A (Tc) 735W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
2 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12820875
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTN60N50L2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Linear L2™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
53A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
610 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
24000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
735W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXTN60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STE53NC50
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
STE53NC50-DG
VISO KAINA
30.09
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
APT5010JVFR
GAMINTOJAS
Microchip Technology
PRIEINAMAS KIEKIS
21
DiGi DALIES NUMERIS
APT5010JVFR-DG
VISO KAINA
31.34
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTT16P20
MOSFET P-CH 200V 16A TO268
IXFT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
IXFK140N25T
MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
