Gamintojo produkto numeris:
IXTN660N04T4
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTN660N04T4-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventorius:
619 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12820580
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTN660N04T4 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Trench
Produkto būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
660A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
860 nC @ 10 V
VGS (Max)
±15V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
44000 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1040W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227B
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
IXTN660
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTA2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
IXFR26N100P
MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247
IXTQ48N20T
MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
