Gamintojo produkto numeris:
IXTP01N100D
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTP01N100D-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12819679
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTP01N100D Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Depletion
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
400mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
0V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 25µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
100 pF @ 25 V
AKT funkcija
Depletion Mode
Galios išsklaidymas (Max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTP01
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
607074
Q1614635
IXTP01N100D-NDR
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTP2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
IXFK73N30Q
MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
IXFM1766
POWER MOSFET TO-3
