IXTP08N100P
Gamintojo produkto numeris:

IXTP08N100P

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXTP08N100P-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventorius:

285 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12819505
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IXTP08N100P Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
800mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
240 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
42W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTP08

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
IXT(A,P,Y)08N100P Building, Home Automation Appl Guide

Papildoma informacija

Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
littelfuse

IXFT20N80Q

MOSFET N-CH 800V 20A TO268

littelfuse

IXFA7N80P

MOSFET N-CH 800V 7A TO263

littelfuse

IXTA05N100HV

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

littelfuse

IXTX40P50P

MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3