IXTP2R4N120P
Gamintojo produkto numeris:

IXTP2R4N120P

Product Overview

Gamintojas:

IXYS

Detalių numeris:

IXTP2R4N120P-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventorius:

14 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12820215
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IXTP2R4N120P Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1207 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTP2

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
littelfuse

IXTH102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO247

littelfuse

IXTN30N100L

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

littelfuse

IXFN36N60

MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

littelfuse

IXTH120N15T

MOSFET N-CH 150V 120A TO247