Gamintojo produkto numeris:
IXTP6N50P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTP6N50P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventorius:
12820322
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTP6N50P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
PolarHV™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 50µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14.6 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
740 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTP6
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF830APBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
5605
DiGi DALIES NUMERIS
IRF830APBF-DG
VISO KAINA
0.59
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXTP8N65X2
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
IXTP8N65X2-DG
VISO KAINA
1.40
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
CDM22010-650 SL
GAMINTOJAS
Central Semiconductor Corp
PRIEINAMAS KIEKIS
464
DiGi DALIES NUMERIS
CDM22010-650 SL-DG
VISO KAINA
1.25
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTR30N25
MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247
IXTK110N20L2
MOSFET N-CH 200V 110A TO264
IXFT320N10T2
MOSFET N-CH 100V 320A TO268
