Gamintojo produkto numeris:
IXTP8N65X2M
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTP8N65X2M-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
46 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12905806
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTP8N65X2M Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Ultra X2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
32W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTP8
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STP10NM60ND
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
631
DiGi DALIES NUMERIS
STP10NM60ND-DG
VISO KAINA
0.91
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
FCP600N60Z
GAMINTOJAS
Fairchild Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
781
DiGi DALIES NUMERIS
FCP600N60Z-DG
VISO KAINA
1.07
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ZVP2106AS
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
IRFR9024TRR
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRF9520STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
