Gamintojo produkto numeris:
IXTQ60N20L2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTQ60N20L2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Išsami aprašymas:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventorius:
12820028
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTQ60N20L2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Linear L2™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
540W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3P
Pakuotė / dėklas
TO-3P-3, SC-65-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTQ60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
-IXTQ60N20L2
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTV30N60PS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS-220SMD
IXFX170N20P
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
IXTA75N10P
MOSFET N-CH 100V 75A TO263