Gamintojo produkto numeris:
IXTQ64N25P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTQ64N25P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 64A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventorius:
12820734
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTQ64N25P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
64A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
400W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3P
Pakuotė / dėklas
TO-3P-3, SC-65-3
Pagrindinio produkto numeris
IXTQ64
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
Q2310188
IXTQ64N25P-NDR
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STW52NK25Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
444
DiGi DALIES NUMERIS
STW52NK25Z-DG
VISO KAINA
3.37
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRFP4768PBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2632
DiGi DALIES NUMERIS
IRFP4768PBF-DG
VISO KAINA
3.59
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTA36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
IXFR25N90
MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
IXTU64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO251
