Gamintojo produkto numeris:
IXTV200N10T
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTV200N10T-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole PLUS220
Inventorius:
12821489
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTV200N10T Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
TrenchMV™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
152 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
9400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
550W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PLUS220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3, Short Tab
Pagrindinio produkto numeris
IXTV200
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF100B201
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
2527
DiGi DALIES NUMERIS
IRF100B201-DG
VISO KAINA
1.56
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFC16N50P
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
IXTH130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO247
IXFQ60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
