Gamintojo produkto numeris:
IXTY01N100D
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTY01N100D-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
6296 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12821215
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTY01N100D Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Depletion
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
400mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
0V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 25µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
100 pF @ 25 V
AKT funkcija
Depletion Mode
Galios išsklaidymas (Max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IXTY01
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
238-IXTY01N100D-CRL
Q14254273
Standartinis paketas
70
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFB60N80P
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
IXFT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO268
IXFH36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD