Gamintojo produkto numeris:
IXTY1R6N100D2
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTY1R6N100D2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
12906145
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTY1R6N100D2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Depletion
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
-
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
-
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
645 pF @ 25 V
AKT funkcija
Depletion Mode
Galios išsklaidymas (Max)
100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IXTY1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
70
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFR024
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRFR020TRR
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRF634STRRPBF
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
