Gamintojo produkto numeris:
IXTY2N100P
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
IXTY2N100P-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
12821659
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IXTY2N100P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
Polar
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 100µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
655 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
86W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
IXTY2
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
70
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STD3NK100Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
1359
DiGi DALIES NUMERIS
STD3NK100Z-DG
VISO KAINA
0.95
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFB100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXFT80N20Q
MOSFET N-CH 200V 80A TO268
IXTY1R4N60P TRL
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252
