Gamintojo produkto numeris:
LSIC1MO120E0120
Product Overview
Gamintojas:
Littelfuse Inc.
Detalių numeris:
LSIC1MO120E0120-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventorius:
856 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12808943
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
LSIC1MO120E0120 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
27A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
20V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 14A, 20V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 7mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 20 V
VGS (Max)
+22V, -6V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1125 pF @ 800 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
139W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247AD
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Pagrindinio produkto numeris
LSIC1MO120
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
F11004
-LSIC1MO120E0120
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFH12N100F
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
IXFH6N100F
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
V30365-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
