Gamintojo produkto numeris:
MCB30P1200LB-TRR
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
MCB30P1200LB-TRR-DG
Aprašymas:
SIC 2N-CH 1200V 9SMPD
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) Surface Mount 9-SMPD-B
Inventorius:
13270823
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
MCB30P1200LB-TRR Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
-
Serijos
MCB30P1200LB
Produkto būsena
Active
Technologija
Silicon Carbide (SiC)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200V (1.2kV)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
-
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id
-
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
-
Darbinė temperatūra
-
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
9-PowerSMD
Tiekėjo įrenginių paketas
9-SMPD-B
Pagrindinio produkto numeris
MCB30P1200
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
238-MCB30P1200LB-TRRTR
Standartinis paketas
200
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXFN27N120SK
SIC 2N-CH 1200V SOT227B
MTC120WX55GD-SMD
MOSFET 6N-CH 55V 150A
MTI200WX75GD-SMD
MOSFET 6N-CH 75V 255A ISOPLUS