Gamintojo produkto numeris:
MCB60I1200TZ-TUB
Product Overview
Gamintojas:
IXYS
Detalių numeris:
MCB60I1200TZ-TUB-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Inventorius:
13270589
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
MCB60I1200TZ-TUB Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Littelfuse
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
90A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
20V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 15mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 20 V
VGS (Max)
+20V, -5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
-
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-268AA (D3Pak-HV)
Pakuotė / dėklas
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pagrindinio produkto numeris
MCB60I1200
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
238-MCB60I1200TZ-TUB
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IXTT12N150HV-TRL
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268HV
IXTH86N25T
MOSFET N-CH 250V 86A TO247
IXFH240N15X3
MOSFET N-CH 150V 240A TO247
