2N2905AP
Gamintojo produkto numeris:

2N2905AP

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

2N2905AP-DG

Aprašymas:

SMALL-SIGNAL BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 600 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12981964
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

2N2905AP Techninės specifikacijos

Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
600 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
60 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
1µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Galia - Maks.
600 mW
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-39 (TO-205AD)

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
150-2N2905AP
Standartinis paketas
1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
microchip-technology

2N3628

POWER BJT

microchip-technology

JANSP2N3637L

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANKCCH2N3501

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N2779

POWER BJT