Gamintojo produkto numeris:
2N3507L
Product Overview
Gamintojas:
Microchip Technology
Detalių numeris:
2N3507L-DG
Aprašymas:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA
Inventorius:
13250530
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N3507L Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
3 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
1µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
35 @ 500mA, 1V
Galia - Maks.
1 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-5AA
Pagrindinio produkto numeris
2N3507
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2N5805
TRANS PNP 300V 5A TO3
2N2222AL
TRANS NPN 50V 0.8A TO18
2N2222AE4
TRANS NPN 50V 0.8A TO18
