Gamintojo produkto numeris:
2N5339P
Product Overview
Gamintojas:
Microchip Technology
Detalių numeris:
2N5339P-DG
Aprašymas:
POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 5 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Inventorius:
12980210
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N5339P Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
5 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.2V @ 500mA, 5A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Galia - Maks.
1 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 200°C
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-39 (TO-205AD)
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
150-2N5339P
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
