Gamintojo produkto numeris:
2N5613
Product Overview
Gamintojas:
Microchip Technology
Detalių numeris:
2N5613-DG
Aprašymas:
POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 58 W Through Hole TO-204AD (TO-3)
Inventorius:
12986992
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N5613 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
5 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
60 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
-
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
58 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-204AA, TO-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-204AD (TO-3)
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
150-2N5613
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2C3791
POWER BJT
2SA1871-T1-AZ
2SA1871-T1-AZ - PNP SILICON TRIP
JANSD2N5151U3
RH POWER BJT
