2N5970
Gamintojo produkto numeris:

2N5970

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

2N5970-DG

Aprašymas:

POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 15 A 85 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Inventorius:

12983854
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

2N5970 Techninės specifikacijos

Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
15 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
80 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
-
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
85 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-204AA, TO-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-204AD (TO-3)

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
150-2N5970
Standartinis paketas
1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
microchip-technology

2N2780

POWER BJT

microchip-technology

JANSM2N5152

RH POWER BJT

microchip-technology

JANTX2N4033UA/TR

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N744

SMALL-SIGNAL BJT