2N6322
Gamintojo produkto numeris:

2N6322

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

2N6322-DG

Aprašymas:

POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 30 A 350 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Inventorius:

12986838
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

2N6322 Techninės specifikacijos

Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
30 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
200 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
-
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
350 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-204AA, TO-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-204AD (TO-3)

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
150-2N6322
Standartinis paketas
1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
microchip-technology

JANTX2N2905AP

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANSP2N2218A

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N2907AUBC

SMALL-SIGNAL BJT

nexperia

MJD31CH-QJ

BJT - MJD SERIES