2N6511
Gamintojo produkto numeris:

2N6511

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

2N6511-DG

Aprašymas:

POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 7 A 120 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Inventorius:

13000767
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

2N6511 Techninės specifikacijos

Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
7 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
250 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 800µA, 4mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
120 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-204AA, TO-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-204AD (TO-3)

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
150-2N6511
Standartinis paketas
1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
diodes

BCV47QTA

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

taiwan-semiconductor

BC857C

SOT-23, -50V, -0.1A, PNP BIPOLAR

mdd

BC848A

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23