Gamintojo produkto numeris:
2N6511
Product Overview
Gamintojas:
Microchip Technology
Detalių numeris:
2N6511-DG
Aprašymas:
POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 7 A 120 W Through Hole TO-204AD (TO-3)
Inventorius:
13000767
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N6511 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
7 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
250 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 800µA, 4mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
120 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-204AA, TO-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-204AD (TO-3)
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
150-2N6511
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BCV47QTA
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
BC857C
SOT-23, -50V, -0.1A, PNP BIPOLAR
BC848A
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
