Gamintojo produkto numeris:
2N6562
Product Overview
Gamintojas:
Microchip Technology
Detalių numeris:
2N6562-DG
Aprašymas:
POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 10 A 100 W Stud Mount TO-61
Inventorius:
12987731
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N6562 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
10 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
450 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
-
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
100 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-
Montavimo tipas
Stud Mount
Pakuotė / dėklas
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-61
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
150-2N6562
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2N5334
POWER BJT
BC846AQCZ
TRANS 65V 0.1A DFN1412D-3
2SAR544PHZGT100
TRANS PNP 80V 2.5A SOT89
