2N7000-G
Gamintojo produkto numeris:

2N7000-G

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

2N7000-G-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventorius:

2790 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12788557
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

2N7000-G Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bag
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200mA (Tj)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 1mA
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
60 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92-3
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pagrindinio produkto numeris
2N7000

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
2N7000-G-DG
Duomenų lapai
2N7000-G

Papildoma informacija

Standartinis paketas
1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
texas-instruments

CSD17483F4

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

texas-instruments

CSD22204W

MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA

texas-instruments

CSD19537Q3

MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON

texas-instruments

CSD17578Q3A

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON